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| KLUDG8V1EE-B0C1的报价和技术资料 - 三星半导体授权中国代理商 |
KLUDG8V1EE-B0C1的图片

KLUDG8V1EE-B0C1

三星半导体(SAMSUNG)图标
嵌入式存储器
制造厂商：三星半导体(SAMSUNG)
功能简述：SAMSUNG DRAM NAND
原厂封装：11.5 x 13 x 1.0 mm
优势价格，KLUDG8V1EE-B0C1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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KLUDG8V1EE-B0C1的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
  • 三星芯片型号：KLUDG8V1EE-B0C1
  • 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
  • 功能类别：嵌入式存储器
  • 版本：UFS 2.1
  • 容量：128GB
  • 工作电压：1.8/3.3 V
  • 接口：G3 2Lane
  • 封装尺寸：11.5 x 13 x 1.0 mm
  • 工作温度：-25 ~ 85 °C
  • 产品状态：批量生产
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