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K6F2016U4E-EF70T

三星半导体(SAMSUNG)图标
集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
制造厂商：三星半导体(SAMSUNG)
功能简述：SRAM ASYNC SLOW 2M 128Kx16 3.3V
原厂封装：封装:48-TFBGA（6x7）
优势价格，K6F2016U4E-EF70T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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K6F2016U4E-EF70T的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
  • 型号:K6F2016U4E-EF70T
  • 品牌:Samsung Semiconductor, Inc. (Samsung,三星半导体芯片)
  • 封装:48-TFBGA（6x7）
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:SRAM ASYNC SLOW 2M 128Kx16 3.3V
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:SRAM
  • 技术:SRAM - 异步
  • 存储容量:2Mb
  • 存储器组织:128K x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字，页:70ns
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:48-TFBGA（6x7）
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