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K4U6E3S4AM-GUCL
的报价和技术资料 - 三星半导体授权中国代理商 |
K4U6E3S4AM-GUCL
低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
制造厂商:
三星半导体(SAMSUNG)
功能简述:
SAMSUNG DRAM NAND
原厂封装:
200FBGA
优势价格,K4U6E3S4AM-GUCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
K4U6E3S4AM-GUCL的技术资料下载
K4U6E3S4AM-GUCL的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
三星芯片型号:K4U6E3S4AM-GUCL
制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
容量:16Gb
架构:x32
速率:4266 Mbps
工作电压:1.8 / 1.1 / 0.6 V
工作温度:-40 ~ 125 °C
封装:200FBGA
产品状态:批量生产
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