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K4B4G1646E-BYK000

三星半导体(SAMSUNG)图标
集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
制造厂商：三星半导体(SAMSUNG)
功能简述：DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
原厂封装：封装:-
优势价格，K4B4G1646E-BYK000的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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K4B4G1646E-BYK000的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
  • 型号:K4B4G1646E-BYK000
  • 品牌:Samsung Semiconductor, Inc. (Samsung,三星半导体芯片)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:-
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:256M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800 MHz
  • 写周期时间 - 字，页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.35V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:-
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