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| K4B1G0846I-BYNB的报价和技术资料 - 三星半导体授权中国代理商 |
K4B1G0846I-BYNB的图片

K4B1G0846I-BYNB

三星半导体(SAMSUNG)图标
双倍数据率同步动态随机存储器
制造厂商：三星半导体(SAMSUNG)
功能简述：SAMSUNG DRAM NAND
原厂封装：78FBGA
优势价格，K4B1G0846I-BYNB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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K4B1G0846I-BYNB的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
  • 三星芯片型号：K4B1G0846I-BYNB
  • 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
  • 功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量：1Gb
  • 架构：128M x 8
  • 速率：2133 Mbps
  • 工作电压：1.35 V
  • 工作温度：0 ~ 85 °C
  • 封装：78FBGA
  • 产品状态：批量生产
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