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M474B5173EB0-YMA
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M474B5173EB0-YMA技术资料
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M474B5173EB0-YMA
模块
制造厂商:
三星半导体(SAMSUNG)
功能简述:
SAMSUNG DRAM NAND
原厂封装:
4GB
优势价格,M474B5173EB0-YMA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
M474B5173EB0-YMA的技术资料下载
M474B5173EB0-YMA的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
三星模块型号:M474B5173EB0-YMA
制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
功能类别:模块
DDR:三代双倍数据率同步动态随机存储器
DIMM 类型:SODIMM
容量:4GB
内存区块组织:1R x 8
速率:1866 Mbps
工作电压:1.35 V
组件成分:(512M x 8) x 9
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M474B1G73EB0-YK0
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M474B1G73EB0-YMA
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