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KMQE60013M-B318的图片

KMQE60013M-B318

多制层封装芯片

制造厂商：三星半导体(SAMSUNG)

功能简述：SAMSUNG DRAM NAND

原厂封装：221FBGA

优势价格，KMQE60013M-B318的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

KMQE60013M-B318的技术资料下载

电话询问价格

KMQE60013M-B318的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供

三星芯片型号：KMQE60013M-B318

制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）

功能类别：多制层封装芯片

eStorage 密度：16 GB

eStorage 版本：嵌入式多媒体卡 5.1

DRAM 密度：16 Gb

DRAM 类型：三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

封装：221FBGA

速率：1866 Mbps

产品状态：批量生产

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