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    KMQE10013M-B318

    三星半导体(SAMSUNG)图标
    多制层封装芯片
    制造厂商：三星半导体(SAMSUNG)
    功能简述：SAMSUNG DRAM NAND
    原厂封装：221FBGA
    优势价格，KMQE10013M-B318的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    KMQE10013M-B318的技术资料下载
    电话询问价格
    KMQE10013M-B318的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
  • 三星芯片型号：KMQE10013M-B318
  • 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
  • 功能类别：多制层封装芯片
  • eStorage 密度：16 GB
  • eStorage 版本：嵌入式多媒体卡 5.1
  • DRAM 密度：16 Gb
  • DRAM 类型：三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 封装：221FBGA
  • 速率：1866 Mbps
  • 产品状态：批量生产
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