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SAMSUNG
KMGD6001BM-B421的图片

KMGD6001BM-B421

三星半导体(SAMSUNG)图标
多制层封装芯片
制造厂商:三星半导体(SAMSUNG)
功能简述:SAMSUNG DRAM NAND
原厂封装:221FBGA
优势价格,KMGD6001BM-B421的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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KMGD6001BM-B421的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
  • 三星芯片型号:KMGD6001BM-B421
  • 制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
  • 功能类别:多制层封装芯片
  • eStorage 密度:32 GB
  • eStorage 版本:嵌入式多媒体卡 5.1
  • DRAM 密度:24 Gb
  • DRAM 类型:三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 封装:221FBGA
  • 速率:1866 Mbps
  • 产品状态:批量生产
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  • 双倍数据率同步动态随机存储器
    K4B1G0846I-BYNB
  • 存储芯片
    K9F5608U0D-FIB0
  • DRAM存储器IC
    KM44V1004DJ-L6
  • 存储芯片
    K7I163684B-FC16
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