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KLUDG8V1EE-B0C1
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KLUDG8V1EE-B0C1价格
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KLUDG8V1EE-B0C1技术资料
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KLUDG8V1EE-B0C1
嵌入式存储器
制造厂商：
三星半导体(SAMSUNG)
功能简述：
SAMSUNG DRAM NAND
原厂封装：
11.5 x 13 x 1.0 mm
优势价格，KLUDG8V1EE-B0C1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
KLUDG8V1EE-B0C1的技术资料下载
KLUDG8V1EE-B0C1的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
三星芯片型号：KLUDG8V1EE-B0C1
制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
功能类别：嵌入式存储器
版本：UFS 2.1
容量：128GB
工作电压：1.8/3.3 V
接口：G3 2Lane
封装尺寸：11.5 x 13 x 1.0 mm
工作温度：-25 ~ 85 °C
产品状态：批量生产
想获取KLUDG8V1EE-B0C1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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