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KLUDG8J1ZD-B0CP
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KLUDG8J1ZD-B0CP价格
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KLUDG8J1ZD-B0CP技术资料
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KLUDG8J1ZD-B0CP
嵌入式存储器
制造厂商：
三星半导体(SAMSUNG)
功能简述：
SAMSUNG DRAM NAND
原厂封装：
11.5 x 13 x 1.2 mm
优势价格，KLUDG8J1ZD-B0CP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
KLUDG8J1ZD-B0CP的技术资料下载
KLUDG8J1ZD-B0CP的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
三星芯片型号：KLUDG8J1ZD-B0CP
制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
功能类别：嵌入式存储器
版本：UFS 2.1
容量：128GB
工作电压：1.8/3.3 V
接口：G3 2Lane
封装尺寸：11.5 x 13 x 1.2 mm
工作温度：-40 ~ 105 °C
产品状态：样品
想获取KLUDG8J1ZD-B0CP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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KLUDG4U1EA-B0C1
嵌
KLUDG8J1ZD-B0CQ
嵌
K6T0808C1D-GB55
SRAM存储器IC
KLM8G1GEND-B031
存储芯片
RC3216J224CS
芯片电阻
K4S161622H-UC60000
DRAM存储器IC
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