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K4H511638B-TCB0000
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K4H511638B-TCB0000技术资料
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K4H511638B-TCB0000
DRAM存储器IC
制造厂商:
三星半导体(SAMSUNG)
功能简述:
0
原厂封装:
出厂封装
优势价格,K4H511638B-TCB0000的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
K4H511638B-TCB0000的技术资料下载
K4H511638B-TCB0000的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
三星半导体完整型号:K4H511638B-TCB0000
存储器结构:32Mx16
速度:0.75ns
电源电压:2.5V
包装:TSOP-II
环保标准:不符合RoHS标准
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