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    K4FBE3D4HM-MGCJ的图片

    K4FBE3D4HM-MGCJ

    三星半导体(SAMSUNG)图标
    低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
    制造厂商：三星半导体(SAMSUNG)
    功能简述：SAMSUNG DRAM NAND
    原厂封装：200FBGA
    优势价格，K4FBE3D4HM-MGCJ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    K4FBE3D4HM-MGCJ的技术资料下载
    电话询问价格
    K4FBE3D4HM-MGCJ的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
  • 三星芯片型号：K4FBE3D4HM-MGCJ
  • 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
  • 功能类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量：32Gb
  • 架构：x32
  • 速率：3733 Mbps
  • 工作电压：1.8 / 1.1 / 1.1 V
  • 工作温度：-25 ~ 85 °C
  • 封装：200FBGA
  • 产品状态：批量生产
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