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K4F2E3S4HA-GHCL
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K4F2E3S4HA-GHCL技术资料
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K4F2E3S4HA-GHCL
低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
制造厂商：
三星半导体(SAMSUNG)
功能简述：
SAMSUNG DRAM NAND
原厂封装：
200FBGA
优势价格，K4F2E3S4HA-GHCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
K4F2E3S4HA-GHCL的技术资料下载
K4F2E3S4HA-GHCL的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
三星芯片型号：K4F2E3S4HA-GHCL
制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
功能类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
容量：12Gb
架构：x32
速率：3733 Mbps
工作电压：1.8 / 1.1 / 1.1 V
工作温度：-40 ~ 105 °C
封装：200FBGA
产品状态：批量生产
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