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    K4B4G0846D-BYNB的图片

    K4B4G0846D-BYNB

    三星半导体(SAMSUNG)图标
    双倍数据率同步动态随机存储器
    制造厂商：三星半导体(SAMSUNG)
    功能简述：SAMSUNG DRAM NAND
    原厂封装：78FBGA
    优势价格，K4B4G0846D-BYNB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    K4B4G0846D-BYNB的技术资料下载
    电话询问价格
    K4B4G0846D-BYNB的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
  • 三星芯片型号：K4B4G0846D-BYNB
  • 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
  • 功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量：4Gb
  • 架构：512M x 8
  • 速率：2133 Mbps
  • 工作电压：1.35 V
  • 工作温度：0 ~ 85 °C
  • 封装：78FBGA
  • 产品状态：批量生产
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