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K3UH6H60AM-NGCJ
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K3UH6H60AM-NGCJ技术资料
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K3UH6H60AM-NGCJ
低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
制造厂商:
三星半导体(SAMSUNG)
功能简述:
SAMSUNG DRAM NAND
原厂封装:
366FBGA
优势价格,K3UH6H60AM-NGCJ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
K3UH6H60AM-NGCJ的技术资料下载
K3UH6H60AM-NGCJ的功能参数资料 - 三星半导体公司(SAMSUNG)提供
三星芯片型号:K3UH6H60AM-NGCJ
制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
容量:48Gb
架构:x64
速率:3733 Mbps
工作电压:1.8 / 1.1 / 0.6 V
工作温度:-25 ~ 85 °C
封装:366FBGA
产品状态:批量生产
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